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onsemi FDS6890A
| Artikelnummer: | FDS6890A |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 1000+ | $0.6865 |
»
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- Verpackung
-
onsemi FDS6890A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDS6890A.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7.5A, 4.5V Leistung - max 900mW Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2130pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 4.5V FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Grundproduktnummer FDS6890 FDS6890A Einzelheiten PDF [English] FDS6890A PDF - EN.pdf -
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